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美芯晟推出高性能有線快充20W~65W整體解決方案

  • 發布日期2022-06-24

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電(dian)子技(ji)術(shu)(shu)(shu)的(de)發展賦予智(zhi)能(neng)終(zhong)端(duan)日趨多元的(de)功(gong)能(neng)和應用(yong)場景，但也(ye)使其(qi)耗電(dian)量攀升(sheng)，而電(dian)池技(ji)術(shu)(shu)(shu)的(de)緩慢發展制約了智(zhi)能(neng)終(zhong)端(duan)的(de)續航能(neng)力(li)。行業通過發展和普(pu)及快充(chong)技(ji)術(shu)(shu)(shu)縮短充(chong)電(dian)時間，變相提升(sheng)了續航能(neng)力(li)。目前，從手機到(dao)平板電(dian)腦、筆記本電(dian)腦、顯示器等智(zhi)能(neng)終(zhong)端(duan)都(dou)紛紛采用(yong)快充(chong)技(ji)術(shu)(shu)(shu)，此舉(ju)大大提升(sheng)了用(yong)戶體驗。

美芯晟推出的高集成、高效率、從原邊控制器、副邊同步整流到快充協議芯片的20W~65W的整體解決方案，可滿足終端用戶對高性能、高性價比等方面的需求。


產品介紹


MT2300系列 SSR控制器驅動Si MOS，VCC耐壓達80V，無需外部添加LDO，降低系統成本。工作頻率85KHz，支持高壓啟動，待機功耗低于30mW。MT2305和MT2308內置Si MOS，進一步縮小PCB面積，利于小型化設計。于小型化設計。

SSR控制器（驅(qu)動Si MOS）

MT2310系列SSR控制器驅動GaN功率管，VCC耐壓達80V，無需外部LDO，降低系統成本。工作頻率高達180KHz，內部高壓啟動使待機功耗低于30mW。MT2311和MT2312內置GaN功率管，可用于小體積使用場景。

SSR控制器（驅動GaN功率管）


同(tong)步整流（SR）控制(zhi)器MT2200系(xi)列(lie)，可(ke)用(yong)于high side也可(ke)用(yong)于low side，可(ke)支持的原邊最高工作頻率在(zai)200KHz以上，并(bing)支持QR和CCM等多種工作模式，滿足現有常見快充應(ying)用(yong)。

MT2200可輸出3.3V~21V，滿足USB PPS寬電壓(ya)輸出要求。MT2205內置Si MOS，利于小型(xing)化設計。




美芯晟開發(fa)的快(kuai)充協(xie)議芯片包括MT2701和最新的MT280X系(xi)列(lie)，芯片兼容多種快(kuai)充協(xie)議。MT2701支持65W以內應(ying)用(yong)，兼容PD3.0，PPS，QC2，QC3，AFC，FCP，私有協(xie)議低(di)壓直充5V4.5A，Apple 5V2.4A，BC1.2等(deng)常(chang)用(yong)協(xie)議。MT2701采用(yong)純硬件架構，通過外部元件來調節輸出功率段，應(ying)用(yong)簡單，BOM成(cheng)本低(di)，適合不(bu)需要(yao)USB-IF認證(zheng)的客(ke)戶。



即將推出(chu)的MT280X系列(lie)芯片集成可(ke)編程MCU，可(ke)根據(ju)客戶需要進行靈活的二次軟(ruan)件開發，滿足高通或USB-IF認證需求。


方案應用

美芯晟(sheng)提供65W以內分離式和合封(feng)式的多種快充整體解決方(fang)案(an)，客戶(hu)使用整體解決方(fang)案(an)可(ke)加快項目(mu)開發進(jin)度，靈活(huo)選(xuan)取，應(ying)用更加多元化(hua)。


  • 65W以內分離式整體方案

圖：65W以內(nei)分離式(shi)整體方案典型應(ying)用

65W以內分(fen)離式(shi)整體方案典型應用如(ru)上圖所示。SSR控(kong)制器方面，客(ke)戶可根(gen)據需(xu)求(qiu)使(shi)用驅(qu)動(dong)Si MOS的MT2300或使(shi)用驅(qu)動(dong)GaN功率(lv)管的MT2310。同步整流（SR）控(kong)制器使(shi)用支持寬電壓輸出、應用范圍(wei)廣的MT2200。快充協(xie)議芯片則(ze)是(shi)兼容(rong)多(duo)種協(xie)議的MT2701。分(fen)離式(shi)方案可讓客(ke)戶發揮(hui)自身Si MOS或GaN功率(lv)管供應鏈(lian)優勢來選擇(ze)合(he)適的器件。


  • 65W以內合封 Si MOS/GaN功率管整體方案

圖(tu)：65W以(yi)內(nei)合封(feng) Si MOS/GaN功(gong)率管整體方案典(dian)型(xing)應用(yong)


65W以內合封(feng) Si MOS/GaN功(gong)率管整體(ti)方案典(dian)型(xing)應用如上(shang)圖所示(shi)。配套使用的快充協議芯(xin)片是兼容多(duo)協議的MT2701，合封(feng)式方案利于客戶將產品小(xiao)型(xing)化。

美芯(xin)(xin)(xin)晟快充(chong)(chong)整(zheng)體方案既可(ke)驅(qu)(qu)動(dong)傳(chuan)統Si MOS，也可(ke)驅(qu)(qu)動(dong)第三代(dai)半(ban)導(dao)體氮化鎵（GaN）功率器(qi)(qi)件(jian)，以豐(feng)富的(de)產品線滿足(zu)多樣(yang)化、個性化的(de)市(shi)場需求，可(ke)用于手機(ji)、筆(bi)記本電(dian)腦等便攜設備和小家電(dian)、機(ji)頂(ding)盒、LCD屏幕等產品。同時，美芯(xin)(xin)(xin)晟對有線快充(chong)(chong)芯(xin)(xin)(xin)片進(jin)行持續迭(die)代(dai)，進(jin)一步減少外圍元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)，使整(zheng)機(ji)產品更加小型化、輕量(liang)化。